معمولاً، سراميك¬هاي فلزي به وسيله فرايندهاي سنتز مي¬شود كه دماي كلسينه آن بسيار بالا است و به همين دليل مشكلاتي فراواني را به همراه دارد. بنابراين تا جايي كه ممكن است بايد توليد اين نانوذرات در دماي تكليس پايين صورت گيرد. فرآيند گرمادهي پايين در ساخت سراميك منجر به تشكيل پودرهاي پيش ماده ريز همراه با همگني بالاي تركيبات مخلوط شده، مي¬شود. ساخت ذرات اكسيد سراميكي در اندازه نانو در دماي تكليس پايين همچنين سبب كاهش تغييرات خواصي مانند ديرگدازي مي¬شود. از جمله مزاياي اين روش سنتز احتراقي بهينه شده، سادگي روش سنتز و كنترل آن، همگني بالا، اندازه نانويي ذرات سراميكي و دماي پايين تشكيل ساختار تك فاز است. جهت سنتز نانوذره اكسيدي آلومنيوم (آلومينا)، از مواد اوليه¬اي با خلوص %¬98 ساخت شركت¬هاي ايراني استفاده گرديد. براي كاهش هزينه تمام شده جهت رقابت در بازار آزاد تمامي مواد فوق الذكر ايراني تهيه شده است. تهيه نانوذره سراميكي Al2O3 به روش احتراقي بهينه شده به مراحل زير تقسيم بندي كرد: 1- تعيين مقادير مناسب مواد اوليه 2- تعيين مقادير مناسب عامل¬هاي پليمرساز و كمپلكس¬ساز¬ 3- تهيه محلول¬هاي اوليه 4- تهيه سل خنثي، 5- رفلاكس كردن كه براي افزايش همگني بيشتر نانوذرات محلول سل را به مدت 18 ساعت در دماي 85 درجه سانتيگراد صورت مي گيرد، 6- تهيه ژل و 7- سوختن ژل كه در اين مرحله از سوختن ژل ذرات متخلخل سياه و سفيد رنگي كه به آن زروژل گفته مي¬شود به صورت ذرات سياه و سفيد رنگ حاصل از سوختن باقي مي¬ماند.

مشكلاتي كه در توليد اين ماده پيش از اين وجود داشت عبارت بودند از: زمان نسبتا زياد براي توليد، روشهاي توليد نه چندان ارزان، استفاده از پيش ماده هاي گران قيمت، هزينه بر بودن توليد ماده با خلوص بالا، در اين اختراع به اختصار فعاليتهاي زير در راستاي رفع موارد ذكر شده به انجام رسيده است: تاكيد بر استفاده از پيش ماده هاي مناسب براي تهيه نانو پودر دي اكسيد تيتانيوم استفاده از فلز تيتانيوم خالص براي ساخت نانو دي اكسيد تيتانيوم استفاده از روش سل ژل احتراقي براي توليد نانو دي اكسيد تيتانيوم كنترل اندازه دانه ها با استفاده از كنترل مقدار سوخت در فرآيند احتراق ژل قابليت استفاده از سوختهاي اسيد سيتريك و اوره( از محصولات پتروشيمي) در دو فرآيند مجزا

ايده اصلي در اين چيدمان جديد آزمايشگاهي كاهش زمينه طيف حاصل از ﺛﺒﺖ ﮔﺎﻣﺎ ﻧﺎﺑﻮدى ﺑﻪ ﻃﻮر ﻫﻤﺰﻣﺎن است كه خروجي آن منجر به استخراج اطلاعات بيشتري از دﻧﺒﺎﻟﻪ ﻃﻴﻒ اصلي يا ساختار الكتروني مدارهاي داخلي مي شود. در اين روش طيف سنجي ﭘﺲ از وارد ﺷﺪن ﭘﻮزﻳﺘﺮون ﺑﻪ درون ﻧﻤﻮﻧﻪ و ﻧﺎﺑﻮدى آن ﺑﺎ اﻟﻜﺘﺮونﻫﺎي ظرفيت يا مغزي ناخالصي يا عيوب ساختار بلوري، دو اشعه گاما ﺗﻮﻟﻴﺪ ﻣﻲشود كه ﺗﻮﺳﻂ آﺷﻜﺎرﺳﺎزﻫﺎ ﺛﺒﺖ ﻣﻲﮔﺮدﻧﺪ. معمولاً طيف هاي پس زمينه در طيف سنجي CDBS باعث اشكالاتي در ثبت داده ها بخاطر استفاده از دو آشكارساز متفاوت در ساختار آن مي شود. اين طيف پس زمينه اضافي و ناخواسته باعث هدر رفت وقت و انرژي بسيار در مطالعه ساختار مواد به كمك اين طيف سنج مي شود. تيم تحقيقاتي ما براي رفع اين مشكل بعد از بررسي هاي مفصل به يك طرح چيدمان آزمايشگاهي جديد دست يافته است كه علاوه بر كاهش شمارش گاماي ناخواسته (رويدادي كه بخاطر غير همزماني حاوي هيچ گونه اطلاعاتي نيست)، مدت زمان ثبت طيف CDB را نيز به طرز قابل توجهي كاهش داده است. اين روش جديد اندازه گيري براي مطالعه تغييرات ساختار نواري الكترون در مواد مختلف مانند بوهميت، اكسيد تيتانيوم و پليمر PVA تست شده است. نتايج حاصل از اين روش طيف سنجي جديد در مقايسه با روش سنتي، نشان دهنده كاهش قابل ملاحظه ثبت گاماي ناخواسته و در نتيجه افزايش قابل ملاحظه در شناسايي 99 درصد گاماي ناشي از نابودي پوزيترون با الكترون هاي نوار ظرفيت و الكترون هاي مغزي است. به عبارت ديگر نتايج نشان مي دهد كه گاماي نابودي ناخواسته كه به آشكارسازها مي رسد را مي توان از طريق كنترل دروازه پنل الكترونيكي مبدل آنالوگ به ديجيتال و انطباق گر سريع بصورت هوشمند كنترل كرد. در طي فرآيند تعادل گرماي پوزيترون در ساختار شبكه، آشكارسازها اشعه گاما واقعي را با انرژي E1 = E2 = m0c2 (انرژي در حال سكون) كه منجر به منحني هذلولي قوي در مركز نمودار مي شود، را بوجود مي آورند. اين در حالي است كه دروازه ورودي انطباق گر بصورت هوشمند براي 90 % اشعه گاما با انرژي متفاوت (E1 ≠ E2) توسط فرايند نابودي پوزيترون ساطع شده است، همچنان بسته مي ماند. در چيدمان مرسوم نسبت پيك به پس زمينه به ترتيب براي آشكارسازهاي A و B در حدود 2:1589 و 2:1576 است و اين مقادير در چيدمان جديد به ترتيب براي هر يك از آشكارسازها برابر است با 2:3024 و 2:2989.